参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSC046N02KS G
说明	功率MOSFET   5.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	320 [库存更新时间：2025-11-25]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4100pF @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	27.6nC @ 4.5V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	19A
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.6mΩ
栅极电压Vgs	12V
配置	SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散(Max)	2.8W
高度	1.27mm
长度	5.9mm
系列	OptiMOS2
FET类型	N-Channel
宽度	5.15mm
下降时间	6ns
上升时间	117ns
典型关闭延迟时间	34ns
典型接通延迟时间	15ns